SVM liefert kundenspezifische epitaktische schichten auf silizium wafers für forschung und entwicklung oder produktion im großem maßstab. Wir verarbeiten einzelne epi kristalline schichten auf wafers mit dem durchmesser von 100mm bis 200mm. Epitaxie wird auf blanken wafers oder wafers mit unterliegenden schichten angeboten, muster oder fortgeschrittene gerät strukturen. Alle wafer substrate die von SVM für epitaktiale verarbeitung geliefert werden, sind von hoher qualität, in großen fabriken hergestellte, versiegelte produkte. SVM hat einen großen bestand an silizium wafers und bietet eine langfristige epi wafer vorratslösungen an.

Verfahrens Möglichkeiten

  • Durchmesser: 100mm, 125mm, 150mm, 200mm
  • Orientierung: , ,
  • Epi Stärke: 4um bis zu 150um
  • Dopante: Arsenic, Phosphorus, Boron
  • Normaler Wiederstands Bereich

– 0.05-1200 ohm-cm
– 3000 -5,000 ohm-cm (Intrinsic Schichten)

  • Spezielle Produkte

– Einzelne, Doppelte und Dreifach Schichten Epitaxial Lösungen werden angeboten
– Engineering Lösungen für kundenspezifische Projekte
– Epitaxial Lösungen for SOI Scheiben
– Silizium auf Saphiren (SOS)

Bitte kontaktieren sie SVM für weitere informationen oder um ihre aktuellen anforderungen zu besprechen.