SVM offre une large variété de solutions de motifs de plaques s’adressant aux industries des semi-conducteurs et MEMS. Des tests standards de motifs sont disponibles pour CMP, Gravure, Salle blanche, marchés médicaux et fabricants de matériel médical. En plus de nos tests standards de motifs, SVM accepte de traiter des plaques sur mesure en fonction de la conception de l’utilisateur final et avec la possibilité de fournir des services d’ingénierie CAD et fabrication de masques.

  • Matériaux: silicium, verre
  • Diamètre des plaques: de 50mm a 300mm
  • Outils de gravure: scanner, steppeur, proximité/ contact alignement, E-Beam
  • Technologie de nodes : 65nm, 90nm, 130nm, 180nm, 250nm et au dessus
  • Photorésist : 193nm, 248nm (DUV), I-Line
  • Gravure: Wet, RIE, DRIE
  • CMP: W, Cu, Al, Oxide, TEOS
  • Metrologie: SEM, section transversale, E- Test etc.

Tests reticles:

  • Plaque TSV
  • CMP dishing et érosion
  • Procédé d’isolement latéral par tranchées (STI)
  • Damascène et double damascène
  • Ligne /Espace Arrays
  • Par Arrays
  • Guirlande
  • Motifs mémoire
  • Structures E-testable

Produits spécialisés:

Métaux précieux: Au, Pd, Ag, Pt
Photorésistance épaisse

TSVcopper100SiVia

SVM offre des plaques Silica Via (TSV) avec une épaisseur de 100um et un diamètre de 50um.

Le Through Silica Via (TSV) est gravé avec une excellente surface de porosité de jointure à partir du centre de la plaque jusqu’au bord de la plaque et avec un alignement parfait.

Tous les Through Silica Vias sont gravés sur du 10 à 100um avec une architecture motif Via Etch pour une plaque de 200mm.

La couche de cuivre électrolytique est de 10 000 angstrœms suivi d’une couche de base de 2um Cu et 1 000 angstrœms de liner de titane sur TEOS.

Section Transversale

Si vias, avant Cu seedaprès Cu seed
Si vias, before Cu seed(1)aft_ Cu seed

Veuillez CONTACTER SVM pour plus d’informations sur nos services de gravure ou pour nous entretenir de vos besoins spécifiques.