Utilisés plus couramment dans les MEMS et circuits de fabrication intégrés avancés CMOS, les plaques de SOI fournissent une solution de fabrication permettant de réduire puissance et chaleur tout en augmentant la vitesse de performance du composant électronique. Les plaques SOI ont trois couches de matériel empilées de la façon suivante : couche active de première qualité de silicium (DEVICE LAYER) au dessus d’une couche enterrée (BOX) de silicium dioxyde isolé électriquement, au dessus d’une plaque de support en silicium de base (HANDLE). Les plaques SOI sont des produits uniques qui sont fabriqués en fonction de la demande des applications des utilisateurs. SVM offre deux types de SOI: Film épais et Film mince.

Spécifications :

Film épaisFilm fin
Matériel: SiliciumMatériel: Silicium
Diamètre de la plaque: de 76.2 mm (3”) a 200 mm (8”)Diamètre de la plaque: 150mm (6”), 200mm (8”),
300mm (12”)
Type/Dopant: N ou PType/Dopant: N ou P
Epaisseur de couche avtive : >1.5umEpaisseur de couche avtive: >20nm (0.2um)

  • Cz et Fz croissance de silicium SOI
  • Polissage simple face et double face
  • Pour prototypes et volumes de production
  • Consistant, fiable pour les lignes de production
  • Prix compétitifs
  • Excès d’inventaire

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SVM a en ce moment un excès d’inventaire de plaques de SOI à film épais avec les spécifications suivantes :

Plaque de silicium SOI
Diamètre : 15 0mm
Orientation:
TTV: <8um
Bow/Warp :<30um
Surface avant: Polie
Surface arrière : Gravée
Couche active (DEVICE) :
Type/Dopant: N/Phos
Résistivité: 1-5 ohm-cm
Épaisseur : 2-3um
Couche de la boite (BOX) :
Épaisseur : 1um +/-0.1um
Plaque HANDLE :
Type/Dopant: P/Boron
Résistivité : 10-20 ohm-cm
Épaisseur : 625+/-15um
*** Les plaques sont sujettes aux ventes antérieures******

Silicon On Insulator Wafers(SOI)

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