SVMは半導体及びMEMS産業向けに、幅広いウェハーパターニングソリューションを提供しています。標準テストパターンは化学機械研磨、エッチング、洗浄、医療及びデバイス製造市場用にご用意しております。標準テストパターンに加え、エンドユーザーのデザインに基づいた特別ウェハーパターニング注文も承っております。 CAD及びマスク製造設計のご提供もできますので、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 材料: シリコン、ガラス
  • ウェハー直径:50mm から 300mm
  • リソグラフィーツール: スキャナー、ステッパー、 近接、接触式アライナ、電子ビーム
  • テクノロジーノード: 65nm、 90nm、130nm、180nm、250nm 以上
  • フォトレジスト: 193nm、248nm(遠紫外線)、 I-Line
  • エッチ: ウェット、反応性イオン、深堀り反応性イオン
  • 化学機械研磨: W、Cu、Al、酸化物、TEOS
  • 測定: SEM、断面、 Eテスト等

テストレチクル

  • スルーシリコンウェハー
  • 化学機械研磨(CMP) ディッシング、エロージョン
  • 浅溝型素子分離 (STI)
  • ダマシン、デュアルダマシン
  • ライン、スペースアレイ
  • ビアアレイ
  • デイジー・チェーン
  • メモリーパターン
  • Eテスト可能構造

特別商品:

貴金属: Au、Pd、Ag、Pt
厚フォトレジスト

TSVcopper100SiVia

深さ100um、直径50umのスルーシリコンビアウェハーを提供しています。
スルーシリコンビアは、優れた側壁表面粗度によって、ウェハー中心からノッチに沿った端までエッチングされます。

全てのスルーシリコンビアは200mmウェハー対応の、10〜100umのビアエッチパターンレイアウトにエッチングされます。

1万オングストロームの銅めっき層は、2um銅シード層とTEOS上の1000オングストロームのチタンライナーに隣しています。

断面

シリコンビア、銅シード前 銅シード後
Si vias, before Cu seed(1)aft_ Cu seed

リソグラフィーサービスに関する詳細、ご要望またはご質問は、SVMまでお問合わせ下さい。