SVM은 반도체 및 MEMS 업계에서 요구되는 다양한 웨이퍼 페턴 형성 해법을 제공할수 있습니다. 저희는 CMP, 식각, 세정 의료기 및 디바이스 제조 용도의 표준 테스트 페턴을 보유하고 있습니다. 또한, 저희는, 저희가 제공하는 표준 테스트 페턴 이외에, 엔지니어링 CAD 와 마스크 제조를 제공하는 선택 사양을 가진 최종 사용자 디자인을 바탕으로하는 커스텀 웨이퍼 페터닝 프로젝트를 수행할수 있습니다.

  • 재료: 실리콘, 유리
  • 웨이퍼 직경: 50mm부터 300mm
  • 노광 설비: 스케너, 스테퍼, 근접 / 접촉식 얼라이너, E-Beam
  • 기술 Node: 65nm, 90nm, 130nm, 250nm및 그 이상
  • 감광막: 193nm, 248nm(DUV), I-Line
  • 식각: Wet, RIE, DRIE
  • CMP: W, Cu, Al, Oxide, TEOS
  • 계측: SEM, 단면도, 전기 테스트, 기타 등등

테스트 레티클

  • TSV 웨이퍼
  • CMP Dishing and Erosion
  • Surface Trench Isolation (STI)
  • Damascene and Dual Damascene
  • Line /Space Arrays
  • Via Arrays
  • Daisy Chain
  • Memory Patterns
  • E-testable structures

특수 제품:

귀금속류: 금, 팔라듐, 은, 백금
두꺼운 감광막

TSVcopper100SiVia

SVM은 50um의 직경과 100um의 깊이의 비아(Via)로 구성된 Through Silica Via (TSV) 웨이퍼를 제공할수 있습니다.

Through Silica Via (TSV)는 Notch로 정렬된 웨이퍼의 중심부로 부터 가장자리까지 모두 훌륭한 Sidewall Surface Roughness로 식각됩니다..

모든 TSV는 200mm 웨이퍼 상에서 10um 부터 100um의 비아 식각 페턴으로 생성됩니다.

10,000 Angstrom의 두께로 전기도금되는 구리는그 위에 2um의 구리 Seed 층 및 TEOS 상의 1,000 Angstrom 타이타늄 라이너 공정등이 이어서 진행된다.

Cross Section

Si vias, before Cu seedaft. Cu seed
Si vias, before Cu seed(1)aft_ Cu seed

노광 공정 서비스에 대한 추가 정보 및 고객님의 현재의 요구 사항에 대한 상담은 SVM에문의를 이용하시기 바랍니다.