SVM可爲半导体与微积电业者, 提供各种晶圆片测试图案服务, 我们可提供化学机械抛光, 刻,清洁,医疗与设备(或元件)制造等领域的标准测试图案。

除了标准测试图案, SVM也接受依照使用者需求设计的客制晶圆图案, 并可提供工程用电脑辅助绘图, 以及光罩制作。

  • 材质: 硅, 玻璃。
  • 晶圆片直径: 50毫米至300毫米。
  • 光刻设备: 扫描机, 步进机, 近场/ 接触曝光机, 电子束。
  • 线宽: 65奈米, 90奈米, 130奈米, 180奈米, 250奈米或更大。
  • 光阻: 193奈米, 248奈米(DUV), I-Line
  • 蚀刻: 湿蚀刻, 离子束蚀刻, 深离子束蚀刻。
  • 化学机械抛光: W, Cu, Al, 氧化硅, TEOS
  • 量测: 电子显微镜, 截面, 电性测试等。

测试用光罩:

  • TSV晶圆片
  • 化学机械抛光沟槽凹蚀与侵蚀
  • 表面沟渠绝缘
  • Damascene 波纹与双波纹
  • 线/ 间距阵列
  • 连结阵列
  • 雏菊花环
  • 记忆模式
  • 测试电性用结构

特殊产品:

贵金属: Au, Pd, Ag, Pt
厚光阻

穿透氧化硅层钻孔铜

SVM提供具有深100微米与直径为50微米钻孔的TSV晶圆片。 我们的穿透氧化硅钻孔TSV, 从晶圆的中心点到凹槽边缘, 都具有非常好的表面平整度。

所有穿透氧化硅层钻孔都是在200毫米的晶圆上, 以10到100微米的钻孔图案蚀刻而成的。我们在TEOS上先电镀上10,000 埃的电镀铜板, 再放上2微米的铜种子层, 以及1000埃的钛衬里。

横截面
在镀上铜之前的硅钻孔处理
Si vias, before Cu seed(1)aft_ Cu seed

欲知更多光刻细节, 或您有特殊需求, 请联系SVM。